[发明专利]半导体变形测量仪及其制造方法无效
| 申请号： | 200710107784.8 | 申请日： | 2007-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101068032A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 箱守郁夫;中村雄二;中西圭一;井田浩一 | 申请（专利权）人： | 株式会社百利达;东光株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;H01L21/02;G01L1/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体变形测量仪及其制造方法。该半导体变形测量仪防止半导体的变形测量仪的沟道的产生，在扩散电阻区域的周围附着了杂质或电荷的情况下，或在半导体基板的杂质浓度低的情况下，防止在电极焊盘之间容易产生的沟道的产生，使输出的电阻值稳定。该半导体变形测量仪具备扩散电阻区域，该扩散电阻区域形成在规定的导电性的半导体基板的表面、且与该半导体基板的导电性相反，在该扩散电阻区域的两端具备电极，其中，在扩散电阻区域的周围具备与该半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层，上述电极中的一方延伸形成至该高浓度杂质扩散层、连接了该扩散电阻区域和该高浓度杂质扩散层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 变形 测量仪 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体变形测量仪，所述半导体变形测量仪具备：规定的导电性的半导体基板；扩散电阻区域，其形成在该半导体基板的表面且与该半导体基板的导电性相反；以及电极，其设置在该扩散电阻区域的两端部，其特征在于，在所述扩散电阻区域的周围，具备与所述半导体基板相比掺杂了高浓度的杂质的、与所述半导体基板的导电性相同的高浓度杂质扩散层，所述电极中的一方延伸形成至该高浓度杂质扩散层、连接了所述扩散电阻区域和该高浓度杂质扩散层，在所述电极上施加不会发生从该扩散电阻区域到该高浓度杂质扩散层的漏泄的电压。
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