[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710108140.0 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101083249A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 小林道弘;二阶堂裕文;胜木信幸;川胜康弘 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/11;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于减少制造步骤的同时，使二个布线层之间电连接。解决方法是，在二个布线11C、11D之间的下层部中具有接触插塞9c，其形成为多珠串接形状，并且使二个布线11C、11D电连接；二个布线11C、11D彼此分离，形成在同一层上；接触插塞9c与连接到布线4b的接触插塞9b、及连接到源极/漏极区域6的接触插塞9a同时形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，在二个布线各自的下层部中具有接触插塞，该接触插塞形成为多珠串接形状乃至狭缝状，并且电连接上述二个布线。
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