[发明专利]其接触结构有接触隔片的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710108143.4 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101083226A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张润泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8242;H01L23/522;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;陆锦华 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供制造半导体器件的方法，该半导体器件对于上金属布线层和下接触焊盘之间的空隙形成，具有减小的敏感性。根据该方法，为了防止接触焊盘不受后续刻蚀工序影响，形成刻蚀屏蔽层。还提供根据该方法制造的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成绝缘层，该绝缘层具有在其中形成的导电焊盘；在该绝缘层和导电焊盘上形成介质层；刻蚀该介质层的区域，以形成重叠该导电焊盘的接触孔，该接触孔露出导电焊盘的顶部拐角；以及在该接触孔内形成刻蚀屏蔽层，该刻蚀屏蔽层覆盖导电焊盘的顶部拐角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
