[发明专利]自我对准的嵌入式相变存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有嵌入式存储器的集成电路，其包括衬底与多个导体层，设置这些导体层用以连接集成电路的各个元件。在多个导体层中的中间层包括具有上表面的第一电极、具有上表面的第二电极、以及位于第一与第二电极之间的绝缘构件。导桥位于中间层之上、介于第一与第二电极之间、横跨绝缘构件处，其中该导桥包括可编程电阻性存储材料，例如相变材料。在多个导体层中的至少一层中的导体，位于中间层上并连接至导桥。

主权项

1、一种存储器件，包括：一衬底，其包括集成电路构件，包括多个导体层，这些导体层用以连接至少部分所述集成电路元件，所述多个导体层包括第一层、以及位于该第一层之上的特别层；该特别层包括具有上表面的第一电极、具有上表面的第二电极、位于该第一电极与该第二电极之间的绝缘构件；导桥，其位于该第一与第二电极之间并横跨该绝缘构件处，该导桥具有第一侧以及第二侧，并以该第一侧接触至该第一与第二电极的该上表面，其中该导桥具有存储材料，该存储材料具有至少两种固态相；以及导体，位于所述多个导体层中的至少一层中，该导体位于该特别层之上并接触至该导桥。