[发明专利]使用反转位线的虚接地阵列结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710108291.6 申请日: 2007-06-07
公开(公告)号: CN101090119A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 吴昭谊 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/768
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 林锦辉
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种虚接地阵列结构,使用反转位线以消除植入位线的需要。因此,该单元的大小可以缩小,使得其可以有更高的密度和更小的封装。
搜索关键词: 使用 反转 接地 阵列 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种虚接地阵列元件,其包括:衬底;第一位线;第二位线;字线;第一扩散区域,所述第一位线配置为,当将足够的电压施加至所述第一位线时,会在所述第一扩散区域中或在所述第一扩散区域附近形成第一反转位线,第二扩散区域,所述第二位线配置为,当将足够的电压施加至所述第二位线时,会在所述第二扩散区域中或在所述第二扩散区域附近形成第二反转层位线,以及在所述衬底上形成栅极结构,所述栅极结构连接所述字线并且配置为,当将足够的电压经由所述字线施加在所述栅极上时,会在所述衬底上、介于所述第一和第二反转位线之间形成沟道区域。
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