[发明专利]使用反转位线的虚接地阵列结构及其制造方法有效
申请号: | 200710108291.6 | 申请日: | 2007-06-07 |
公开(公告)号: | CN101090119A | 公开(公告)日: | 2007-12-19 |
发明(设计)人: | 吴昭谊 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L23/522;H01L21/8247;H01L21/768 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 林锦辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种虚接地阵列结构,使用反转位线以消除植入位线的需要。因此,该单元的大小可以缩小,使得其可以有更高的密度和更小的封装。 | ||
搜索关键词: | 使用 反转 接地 阵列 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种虚接地阵列元件,其包括:衬底;第一位线;第二位线;字线;第一扩散区域,所述第一位线配置为,当将足够的电压施加至所述第一位线时,会在所述第一扩散区域中或在所述第一扩散区域附近形成第一反转位线,第二扩散区域,所述第二位线配置为,当将足够的电压施加至所述第二位线时,会在所述第二扩散区域中或在所述第二扩散区域附近形成第二反转层位线,以及在所述衬底上形成栅极结构,所述栅极结构连接所述字线并且配置为,当将足够的电压经由所述字线施加在所述栅极上时,会在所述衬底上、介于所述第一和第二反转位线之间形成沟道区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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