[发明专利]表面处理方法、氮化物晶体衬底、半导体器件和制造方法无效
| 申请号： | 200710108825.5 | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101081485A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 石桥惠二;西浦隆幸;入仓正登;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00;H01L21/304;C09G1/02;C09K3/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用于氮化物晶体的表面处理方法是化学和机械抛光氮化物晶体(1)的表面的表面处理方法。使用氧化物磨粒(16)。磨粒(16)具有至少－850kJ/mol的标准生成自由能作为每1摩尔氧分子的转换值，并具有至少为4的莫氏硬度。该表面处理方法有效地提供了具有形成于其上的平滑且高质量表面的氮化物晶体，用于有效地获得可以用于半导体器件的氮化物晶体衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 方法 氮化物 晶体 衬底 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种化学和机械抛光氮化物晶体(1)的表面的表面处理方法，使用氧化物的磨粒(16、26)，所述磨粒(16、26)具有至少-850kJ/mol的标准生成自由能作为每1摩尔氧分子的转换值，和所述磨粒(16、26)具有至少为4的莫氏硬度。
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