[发明专利]配置辐射源以同时辐照衬底的方法和系统有效
申请号: | 200710109038.2 | 申请日: | 2007-06-15 |
公开(公告)号: | CN101097840A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | E·J·诺瓦克;B·A·安德森 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 于静;刘瑞东 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种配置J个电磁辐射源(J≥2)以同时辐照衬底的方法。每个源具有发射的辐射的波长和角分布的不同函数。所述衬底包括基层和在所述基层上的I个叠层(I≥2)。Pj表示在每个叠层上来自源j的相同指定源的垂直入射能量通量。为了同时暴露所述I个叠层至来自所述J个源的电磁辐射,计算Pj以便作为|W1-S1|,|W2-S2|,...,|WI-SI|的函数的误差E关于Pj (j=1,2...,J)近似最小化。Wi和Si分别表示经过叠层i(i=1,2...,I)透射进入所述衬底的实际和目标能量通量。将所述叠层暴露到来自以所述计算的Pj (j=1,2...,J)为特征的所述源的辐射。 | ||
搜索关键词: | 配置 辐射源 同时 辐照 衬底 方法 系统 | ||
【主权项】:
1.一种配置辐射源以同时辐照衬底的方法,所述方法包括以下步骤:指定J个电磁辐射源,所述J个源的每个源以其发射的辐射的波长和角分布的不同函数为特征,所述J≥2;指定衬底,所述衬底包括基层和在所述基层上的I个叠层,所述I≥2,其中Pj表示在每个叠层上来自源j的相同的垂直入射能量通量以便Pj与源j对应,j=1,2...,J;指定目标能量通量Si,其目标为经过每个叠层i透射进入所述衬底以便Si与每个叠层i对应;以及为了同时暴露所述I个叠层至来自所述J个源的电磁辐射,计算每个Pj以便作为|W1-S1|,|W2-S2|,...,|WI-SI|的函数的误差E关于Pj近似最小化,j=1,2...,J,其中Wi表示经过叠层i透射进入所述衬底的实际能量通量,i=1,2...,I。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司,未经国际商业机器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710109038.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于水分配器的浮阀系统
- 下一篇:表征光学系统的透射损失的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造