[发明专利]半导体存储装置以及操作该半导体存储装置的方法无效

专利信息
申请号: 200710109539.0 申请日: 2007-06-25
公开(公告)号: CN101093722A 公开(公告)日: 2007-12-26
发明(设计)人: 桥本真吾 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 关兆辉;孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明包括:一对存储器节点,其一端与存储器节点相连接的电容器,以及与该电容器另一端相连接的开关部分,并且,当半导体存储器装置以低于预定速度的速度操作时,改变该电容器另一端的连接状态。通过根据上述半导体存储器装置的操作而改变电容器另一端的连接状态,可以抑制与存储器节点相连接的电容器对半导体存储器装置的操作速度所施加的影响。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 以及 操作 方法
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:存储电路,其包含一对存储器节点;电容器,其具有第一端和第二端,所述第一端连接到所述存储器节点;以及开关,当半导体存储装置以预定速度或者更高速度操作时,其连接到所述电容器的所述第二端,并且改变所述第二端的状态。
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