[发明专利]磁性随机存取存储器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710109581.2 申请日: 2007-06-27
公开(公告)号: CN101335288A 公开(公告)日: 2008-12-31
发明(设计)人: 吕昭宏 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H01L27/22 分类号: H01L27/22;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768;G11C11/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云;陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种磁性随机存取存储器及其制造方法。一种磁性随机存取存储器,包括基底、第一导体层、磁性层、绝缘层、介电层、两个接触窗及第二导体层。第一导体层配置于基底上。磁性层配置于第一导体层上。绝缘层配置于第一导体层与磁性层之间,且绝缘层的厚度为1000埃以下。介电层配置于基底上并覆盖磁性层、绝缘层及第一导体层。接触窗配置于介电层中,且接触窗分别电性连接于第一导体层与磁性层。第二导体层配置于介电层上,第二导体层包括两个导体图案,且各导体图案分别电性连接在所对应的各接触窗。
搜索关键词: 磁性 随机存取存储器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁性随机存取存储器,包括:基底;第一导体层,配置在该基底上;磁性层,配置在该第一导体层上;绝缘层,配置在该第一导体层与该磁性层之间,且该绝缘层的厚度为1000埃以下;介电层,配置在该基底上并覆盖该磁性层、该绝缘层及该第一导体层;两接触窗,配置在该介电层中,且该些接触窗分别电性连接在该第一导体层与该磁性层;以及第二导体层,配置在该介电层上,该第二导体层包括两导体图案,且各该导体图案分别电性连接在所对应的各该接触窗。
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