[发明专利]磁性随机存取存储器及其制造方法无效
申请号: | 200710109581.2 | 申请日: | 2007-06-27 |
公开(公告)号: | CN101335288A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 吕昭宏 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768;G11C11/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云;陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种磁性随机存取存储器及其制造方法。一种磁性随机存取存储器,包括基底、第一导体层、磁性层、绝缘层、介电层、两个接触窗及第二导体层。第一导体层配置于基底上。磁性层配置于第一导体层上。绝缘层配置于第一导体层与磁性层之间,且绝缘层的厚度为1000埃以下。介电层配置于基底上并覆盖磁性层、绝缘层及第一导体层。接触窗配置于介电层中,且接触窗分别电性连接于第一导体层与磁性层。第二导体层配置于介电层上,第二导体层包括两个导体图案,且各导体图案分别电性连接在所对应的各接触窗。 | ||
搜索关键词: | 磁性 随机存取存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁性随机存取存储器,包括:基底;第一导体层,配置在该基底上;磁性层,配置在该第一导体层上;绝缘层,配置在该第一导体层与该磁性层之间,且该绝缘层的厚度为1000埃以下;介电层,配置在该基底上并覆盖该磁性层、该绝缘层及该第一导体层;两接触窗,配置在该介电层中,且该些接触窗分别电性连接在该第一导体层与该磁性层;以及第二导体层,配置在该介电层上,该第二导体层包括两导体图案,且各该导体图案分别电性连接在所对应的各该接触窗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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