[发明专利]晶片的切削方法无效
| 申请号： | 200710109606.9 | 申请日： | 2007-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101085541A | 公开（公告）日： | 2007-12-12 |
| 发明（设计）人： | L·L·森;寺本政由志;押领司礼奈 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 何腾云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片的切削方法，该晶片切削方法可以比较廉价、简单且不腐蚀含有铝的焊垫地保持清洗效果，可将晶片分割成各个半导体芯片。在该晶片的切削方法中，通过着眼于焊垫腐蚀原因之一的化学反应，一面向晶片W供给混合有二氧化碳的15℃以下的冷切削水、一面利用切削刀具(21)进行晶片W的切削处理，可使铝溶出的反应速度放慢，可抑制焊垫的腐蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 切削 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的切削方法，使用切削装置将在表面形成有含有铝的焊垫的晶片分割成各个半导体芯片，所述切削装置具有保持晶片的卡盘台、具有切削保持在该卡盘台上的晶片的切削刀具的切削装置、以及向晶片供给混合有二氧化碳的切削水的切削水供给装置，其特征在于，一面向晶片供给混合有二氧化碳的15℃以下的切削水、一面用所述切削刀具切削晶片。
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