[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710109634.0 | 申请日： | 2004-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN101075621A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 清水悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 赵辛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种防止利用(自我阵列触点)SAC技术时栅电极和触点部之间的短路的半导体装置，包括：半导体衬底，形成在上述半导体衬底表面上并在第一方向延伸形成的分离绝缘膜区，由上述分离绝缘膜区划分并在上述第一方向上延伸形成的有源区，在与上述有源区交叉的第二方向上延伸形成的栅电极，在上述栅电极的上述第二方向上的延伸端部上形成的伪电极，在沿着上述栅电极的上述第二方向上延伸形成的第一接触部，分别形成在上述栅电极和上述伪电极的侧壁上的第一和第二侧壁绝缘膜，上述第一接触部延伸到上述伪电极上，上述栅电极和上述伪电极之间的间隙通过掩埋上述第一和第二侧壁绝缘膜而连起来。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体衬底，形成在上述半导体衬底表面上并在第一方向延伸形成的分离绝缘膜区，由上述分离绝缘膜区划分并在上述第一方向上延伸形成的有源区，在与上述有源区交叉的第二方向上延伸形成的栅电极，在上述栅电极的上述第二方向上的延伸端部上形成的伪电极，在沿着上述栅电极的上述第二方向上延伸形成的第一接触部，分别形成在上述栅电极和上述伪电极的侧壁上的第一和第二侧壁绝缘膜，上述第一接触部延伸到上述伪电极上，上述栅电极和上述伪电极之间的间隙通过掩埋上述第一和第二侧壁绝缘膜而连起来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
