[发明专利]金属氧化物半导体装置有效
| 申请号： | 200710110141.9 | 申请日： | 2007-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN101241932A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 官大明;柯志欣;李文钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物半导体装置，包括：半导体基底，具有顶部表面；栅极叠层，位于该半导体基底上方；以及应激物，位于该半导体基底之中且邻接于该栅极叠层，其中该应激物至少包括具有第一顶部表面的第一部分，且该第一顶部表面低于该半导体基底的顶部表面。本发明可以很容易地应用于形成NMOS装置，并且对应的接触蚀刻停止层具有高拉伸应力。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种金属氧化物半导体装置，包括：半导体基底，具有顶部表面；栅极叠层，位于该半导体基底上方；以及应激物，位于该半导体基底之中且邻接于该栅极叠层，其中该应激物至少包括具有第一顶部表面的第一部分，且该第一顶部表面低于该半导体基底的顶部表面。
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