[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710110186.6 申请日: 2007-06-18
公开(公告)号: CN101090098A 公开(公告)日: 2007-12-19
发明(设计)人: 草野英俊;大出知志 申请(专利权)人: 索尼株式会社;索尼计算机娱乐公司
主分类号: H01L23/373 分类号: H01L23/373;H01L21/50
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体装置及其制造方法,能够以低成本将倒装片安装有半导体芯片的半导体装置的散热性提高。半导体装置包括:基板;在将表面倒装的状态下倒装片安装在基板上的半导体芯片;在半导体芯片的周围成型的密封树脂层;可与散热器、热导管等散热部件热连接地设置在半导体芯片的背面的相变部。通过利用半导体芯片的动作热量使相变部熔融,提高半导体芯片与散热部件的紧密贴合性,并且提高半导体芯片的散热性。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置,其可搭载散热部件,其特征在于,包括:基板;半导体芯片,其在将表面倒装的状态下安装在所述基板上;密封树脂层,其在所述半导体芯片的周围成型;相变部,其具有高导热性,设置在所述半导体芯片的背面,能够与所述散热部件热连接,在所述半导体芯片的动作温度下而熔融。
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