[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 200710110249.8 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101304041A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张文;胡伯康;杰米薛佛;大卫·C.·吉摩尔;菲尔托宾 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种金属氧化物半导体晶体管及其形成方法，该金属氧化物半导体晶体管包括：栅极电极，位于半导体衬底上，其中该栅极电极包含金属氮氧化物。本发明可调整其功函数至能带边缘，并能获得高性能的金属氧化物半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体晶体管，包括：栅极电极，位于半导体衬底上，其中该栅极电极包含金属氮氧化物。
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