[发明专利]半导体存储器件和字线接触部的布局结构无效

专利信息
申请号: 200710110328.9 申请日: 2007-06-13
公开(公告)号: CN101174646A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 朴埈民;崔炳吉;金杜应;赵栢衡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/24 分类号: H01L27/24;H01L27/22;H01L23/522
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 戎志敏
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 公开了一种半导体存储器件和字线接触部的布局结构,其中,所述半导体存储器件包括:有源区、多个存储单元和字线接触部。有源区沿作为长度方向的第一方向设置在半导体衬底上,并且用作字线。多个存储单元沿第一方向设置在有源区上,并且每一个均由一个可变电阻器件和一个二极管器件组成。在字线接触部中,在各单元之间设置至少一个字线接触部,其中每一个单元均由有源区上的预定数目的存储单元构成。可以防止或大大减少诸如相邻字线之间的短路之类的桥接效应。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 接触 布局 结构
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:有源区,沿第一方向在半导体衬底上延伸,并且作为字线;多个存储单元,设置在有源区上,并且每一个均具有一个可变电阻器件和一个二极管器件;以及多个字线接触部,每隔预定数目的连续存储单元设置至少一个所述字线接触部。
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