[发明专利]半导体存储器件和字线接触部的布局结构无效
申请号: | 200710110328.9 | 申请日: | 2007-06-13 |
公开(公告)号: | CN101174646A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 朴埈民;崔炳吉;金杜应;赵栢衡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/24 | 分类号: | H01L27/24;H01L27/22;H01L23/522 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 戎志敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种半导体存储器件和字线接触部的布局结构,其中,所述半导体存储器件包括:有源区、多个存储单元和字线接触部。有源区沿作为长度方向的第一方向设置在半导体衬底上,并且用作字线。多个存储单元沿第一方向设置在有源区上,并且每一个均由一个可变电阻器件和一个二极管器件组成。在字线接触部中,在各单元之间设置至少一个字线接触部,其中每一个单元均由有源区上的预定数目的存储单元构成。可以防止或大大减少诸如相邻字线之间的短路之类的桥接效应。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 接触 布局 结构 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器件,包括:有源区,沿第一方向在半导体衬底上延伸,并且作为字线;多个存储单元,设置在有源区上,并且每一个均具有一个可变电阻器件和一个二极管器件;以及多个字线接触部,每隔预定数目的连续存储单元设置至少一个所述字线接触部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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