[发明专利]防护薄膜组件无效
| 申请号： | 200710110347.1 | 申请日： | 2007-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101089729A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 滨田裕一 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;B29C41/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种防护薄膜组件，其能减少水中可溶离子，且能减少释放气体，并能抑制基于硫酸铵所产生的雾霭。为达成上述目的，而提供一种防护薄膜组件，其包含表面上有聚合物包覆膜的铝合金制防护薄膜框架，以及张设于该框架上的防护薄膜，其特征为：该聚合物包覆膜宜为电沉积膜，又，该聚合物包覆膜宜为黑色消光电沉积膜，且发射率宜为0.80～0.99。 | ||
| 搜索关键词： | 防护 薄膜 组件 | ||
【主权项】：
1.一种防护薄膜组件，其包含：铝合金制造的防护薄膜框架，其表面上具有聚合物包覆膜，以及防护薄膜，其拉设于该防护薄膜框架上。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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