[发明专利]一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200710110401.2 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101060135A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 周发龙;吴大可;黄如;诸葛菁;田豫;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道是完全相同的剖面结构为圆形的双硅纳米线，双硅纳米线被栅氧和多晶硅栅围绕，形成围栅结构，源和漏都与体硅衬底相连，在沟道的正下方和体硅衬底之间有一层厚的二氧化硅绝缘层，形成沟道在绝缘层上的结构。本发明在低功耗和高速逻辑电路应用中有着明显的优势和广阔的应用前景。本发明还提供了一种上述的场效应晶体管的制备方法，与常规CMOS技术完全兼容，不需要SOI衬底和高成本的外延工艺，可以减小衬底成本和工艺制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 线围栅 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双硅纳米线围栅场效应晶体管，基于体硅衬底，沟道是完全相同的剖面结构为圆形的双硅纳米线，双硅纳米线被栅氧和多晶硅栅围绕，形成围栅结构，源和漏都与体硅衬底相连，其特征在于：在沟道的正下方和体硅衬底之间有一层厚的二氧化硅绝缘层，形成沟道在绝缘层上的结构。
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