[发明专利]一种双鳍型沟道围栅场效应晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200710110402.7 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101060136A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 周发龙;吴大可;黄如;王鹏飞;诸葛菁;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双鳍型沟道围栅场效应晶体，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道被栅氧和多晶硅栅围绕、形成围栅结构，源和漏都与体硅衬底相连，沟道为两个完全相同的截面为长方形的鳍型Fin，形成双鳍型沟道；双鳍型沟道的正下方和体硅衬底之间有一层厚的二氧化硅绝缘层，形成双鳍型沟道即体在绝缘层上的结构。本发明在高性能、高速和低功耗逻辑电路应用中都有明显优势。本发明还提供了一种上述的场效应晶体管的制备方法，该方法不需要SOI衬底和高成本的外延工艺，可以减小衬底成本和工艺制备成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双鳍型 沟道 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双鳍型沟道围栅场效应晶体管，该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道被栅氧和多晶硅栅围绕、形成围栅结构，源和漏都与体硅衬底相连，其特征在于：沟道为两个完全相同的鳍型Fin，形成双鳍型沟道，鳍型沟道的剖面结构为长方形；双鳍型沟道的正下方和体硅衬底之间有一层厚的二氧化硅绝缘层，形成双鳍型沟道即体在绝缘层上的结构。
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