[发明专利]电离系统的微制造真空接口有效
| 申请号： | 200710110694.4 | 申请日： | 2007-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN101097831A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 理查德·西姆斯;理查德·威廉·莫斯利 | 申请（专利权）人： | 麦克诺塞伊可系统有限公司 |
| 主分类号： | H01J49/04 | 分类号： | H01J49/04;H01J49/02;H01J49/10;B05B5/025;G01N30/72 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘晓东 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 描述了一种将常压电离器接口连接到真空系统的平面元件。所述元件将静电光学器件和撇取器与可以充满预定压力气体的内室结合，并通过硅的光刻、蚀刻和连接构成。 | ||
| 搜索关键词： | 电离 系统 制造 真空 接口 | ||
【主权项】：
1.一种用于将来自电离器的离子束传输到真空系统的微制造接口构件，所述接口由具有至少一个图案化表面的半导体材料形成，所述材料具有限定于其中的孔以便在所述材料中提供通道，通过所述通道所述离子束可以出现在真空系统。
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