[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710110869.1 | 申请日： | 2007-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN101090133A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 水野义人;纪国雅宏;小池伸二;松本昌弘;柳堀文嗣 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社;株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L29/45;H01L29/739;H01L21/28;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：硅衬底，其具有用于将所述硅衬底焊接到陶瓷衬底上的表面；和电极，其与所述硅衬底的所述表面进行接触。所述电极包括：第一导体层、第二导体层和第三导体层。第一导体层与所述硅衬底的所述表面进行接触，并包括铝和硅。第二导体层与第一导体层进行接触，并包括钛。第三导体层通过第二导体层而与第一导体层分离，并包括镍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：硅衬底，其具有用于将所述硅衬底焊接到陶瓷衬底上的表面；和电极，其与所述硅衬底的所述表面进行接触，其中所述电极包括：第一导体层，其与所述硅衬底的所述表面进行接触，并包括铝和硅；第二导体层，其与所述第一导体层进行接触，并包括钛；和第三导体层，其通过所述第二导体层而与所述第一导体层分离，并包括镍。
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