[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件无效
| 申请号： | 200710112100.3 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101093805A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 山内尚;木下敦宽;土屋义规;古贺淳二 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：其中形成有沟道区的第一导电类型的第一半导体区；在该沟道区上形成的栅绝缘膜；在沟道区两侧的SixGe1－x(0＜x＜1)层；在SixGe1－x层上形成的第二导电类型的具有从1021～1022原子/cm3范围的受控杂质浓度的一对第二半导体区；和在第二半导体区上形成的含镍的硅化物层。还公开了该半导体器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：隔着栅绝缘膜在第一导电类型的第一半导体区上形成栅电极；在所述栅电极的两个侧表面上形成侧壁电介质膜；在所述第一半导体区之内或之上形成杂质浓度大于等于1021原子每立方厘米(原子/cm3)并小于等于1022原子/cm3的第二导电类型的第二半导体区；在所述第二半导体区上形成硅(Si)层；以及通过使所述硅层与含镍(Ni)的金属反应来硅化所述硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
