[发明专利]超富含硅氧化硅非易失性存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200710112685.9 | 申请日： | 2007-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101335306A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 卢棨彬;罗兴安 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种超富含硅氧化硅非易失性存储单元及其制造方法，包括位于衬底上的栅极导电层、位于栅极导电层两侧之衬底中的源极/漏极区、位于栅极导电层与衬底之间的遂穿氧化层、位于栅极导电层与遂穿氧化层之间做为电荷捕捉层的超富含硅氧化硅层以及位于栅极导电层与超富含硅氧化硅层之间的上介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 富含 氧化 硅非易失性 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超富含硅氧化硅非易失性存储单元，其特征在于，包括：一栅极导电层，其位于一衬底上方；一源极/漏极区，其位于所述栅极导电层两侧的所述衬底中；一遂穿氧化层，其位于所述栅极导电层与所述衬底之间；一超富含硅氧化硅层，其做为一电荷捕捉层，位于所述栅极导电层与所述遂穿氧化层之间；以及一上介电层，其位于所述栅极导电层与所述超富含硅氧化硅层之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710112685.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：紫外灯粮食、蔬菜、水果、药材灭害装置
- 下一篇：一种自限温电热带接线盒
- 同类专利
- 专利分类
