[发明专利]一种低电压/高非线指数的片式压敏电阻及其制造方法有效
| 申请号： | 200710113770.7 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101123135A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 陶明德;刘倩 | 申请（专利权）人： | 山东中厦电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/10 | 分类号： | H01C7/10;H01C17/00 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 | 代理人： | 张贵宾 |
| 地址： | 274000山东省菏泽市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低电压/高非线指数的片式压敏电阻及其制造方法，属于信息技术领域的传感器技术中的压敏元件。该低电压/高非线指数片式压敏电阻，其特殊之处在于：是通过如下方式制成的：压敏芯片由两个导电膜片之间夹一层高非线指数的压敏膜片构成的复合结构；导电膜片和压敏膜片及复合膜片均由扎膜工艺制备；复合膜片经1000－1100℃高温锻烧制成压敏芯片；压敏芯片用Ni浆和Sn浆封端制成压敏元件。本发明满足微电子技术，通讯技术和半导体技术要求。用此技术制作的片式压敏元件的压敏电压V1mA/mm＝0.5－1.5V，α＝40－60，电压分散性为3－5％，α值的分散性为±8－±10。这种方法工艺简单，制造成本低，克服了常用的多层结构工艺中存在的内电极扩散，端电极延伸的问题。该技术适用于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 高非线 指数 压敏电阻 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低电压/高非线指数片式压敏电阻，其特征在于：是通过如下方式制成的：压敏芯片由两个导电膜片之间夹一层高非线指数的压敏膜片构成的复合结构；导电膜片和压敏膜片及复合膜片均由扎膜工艺制备；复合膜片经1000--1100℃高温锻烧制成压敏芯片；压敏芯片用Ni浆和Sn浆封端制成压敏元件。
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