[发明专利]一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法

摘要

本发明公开了一种低电阻/高温度系数硅单晶热敏电阻及其制备方法，属于信息领域的传感器技术中的热敏元件。该低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻，其特殊之处在于：采用如下方法制成：以N型或P型硅单晶为基片，利用磷或硼扩散在硅片两面形成N⁺或P⁺低阻层；采用重金属离子的扩散在硅片的中心部份形成N⁺BN⁺或P⁺BP⁺结构的高B值层，用半导工艺做成具有低阻/高温度系数的NTCR元件。本发明采用硅片两面扩高浓度的浅能级杂质，硅片的中心部份用金属离形成高B值的热敏层，实现了低阻/高B值的NTCR元件。本发明工艺简单，生产周期短，制造成本低，产品的一致性高并适合大批量生产。

主权项

1.一种低阻/高温度系数的硅单晶热敏电阻，其特征在于：采用如下方法制成：以N型或P型硅单晶为基片，利用磷或硼扩散在硅片两面形成N+或P+低阻层；采用重金属离子的扩散在硅片中形成N+BN+或P+BP+结构的高B值层，用半导工艺做成具有低阻/高温度系数的NTCR元件。