[发明专利]自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法无效

专利信息
申请号: 200710114560.X 申请日: 2007-12-28
公开(公告)号: CN101214934A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 王军;燕东明;李金富;李康;李国斌;常永威;赵斌;刘国玺;段关文;王拥军 申请(专利权)人: 中国兵器工业第五二研究所
主分类号: C01B21/068 分类号: C01B21/068;C04B35/586;C04B35/66
代理公司: 烟台信合专利代理有限公司 代理人: 迟元香
地址: 264003山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法,其特点是它包括原料处理、配料、混合、自蔓燃反应、得成品工艺步骤,是一种以无毒性、无酸性添加剂来实现自蔓燃合成α相氮化硅粉体的方法,减少环境污染,提高对操作人员的保护,制备的粉体含有较高的α相,烧结活性好,整个工序简单可靠,易于实现大规模生产。
搜索关键词: 无污染 快速 制备 氮化 硅粉体 方法
【主权项】:
1.自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法,其特征在于它包括如下步骤:(1)原料处理:对粒度为100-300目的金属硅粉进行球磨处理12-16小时;(2)配料:以上述处理后的金属硅粉为原料,加入稀释剂、添加剂,其重量百分比为:金属硅粉(处理后):30-45wt%,稀释剂35-50wt%,添加剂5-20wt%,上述稀释剂述为α氮化硅粉体,添加剂为(NH4)2CO3、(NH4)HCO3、CO(NH2)2中的任意一种或任意两种及两种以上的组合;(3)混合:将配料步骤的混合物搅拌球磨1-4小时,取出后用40-60目筛网过筛;(4)自蔓燃反应:将上述过筛后的粉料装在半圆柱状的石墨舟内,再放置在自蔓燃反应器内,抽真空后,用高纯氮气,压力保持在4-8MPa,点火引导高温自蔓燃合成,合成后通循环水冷却;(5)得成品:反应后反应器内压力会降低,当反应器的压力降到5-7MPa时,自蔓燃反应完成,释放反应器内的压力,对反应器充1-5分钟的普通氮气或空气,消除残存的少量NH3,得到疏松的块状产物,细磨后得到高α相氮化硅粉体成品。
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