[发明专利]一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法无效
| 申请号： | 200710117613.3 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101330008A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 管伟华;刘明;龙世兵;李志刚;胡媛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/3115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米电子器件及纳米加工技术领域，公开了一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，该方法包括：A.在半导体衬底上形成一层介电层；B.利用低能离子注入的方法将金属离子注入到所述介电层中；C.在惰性气体中对所述已经注入金属离子的介电层进行热退火处理，形成金属纳米晶，作为电荷存储的节点。然后，在介电层上执行形成栅电极和源、漏的工艺，制造完整的存储器晶体管。本发明工艺简单易行，成本低，效率高，具有与传统的硅平面CMOS工艺兼容的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 金属 纳米 挥发性 存储器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作金属纳米晶非挥发性存储器的方法，其特征在于，该方法包括：A、在半导体衬底上形成一层介电层；B、利用低能离子注入的方法将金属离子注入到所述介电层中；C、在惰性气体中对所述已经注入金属离子的介电层进行热退火处理，形成金属纳米晶，作为电荷存储的节点。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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