[发明专利]磁控溅射真空室H2O内外压差逐级导入装置

摘要

磁控溅射真空室H₂O内－外压差逐级导入装置包括：密封抽滤瓶、H₂O气化导流管、至少三级H₂O气化用浮标式流量计、数字流量控制器和混气室，密封抽滤瓶通过H₂O气化导流管与至少三级H₂O气化用浮标式流量计连接，至少三级H₂O气化用浮标式流量计将密封抽滤瓶内的液态水逐级气化成单分子水分子后通过数字流量控制器定量调节后进入混气室，在混气室中H₂O分子与Ar气或Ar与O₂后充分混和，进入真空溅射室，作为溅射室溅射气氛的一部分，解决了真空室内有水分而无法抽真空正常工作的问题；解决了真空室内有水分而无法抽真空正常工作的问题，在Ta₂O₅、ZrO、MgF₂、SiO等的薄膜制备过程中可实现即时同步氢化，进而解决了性能优良的电致变色用H⁺离子导电薄膜的制备问题。

主权项

1.磁控溅射真空室H2O内外压差逐级导入装置，其特征在于包括：密封抽滤瓶、H2O气化导流管、至少三级H2O气化用浮标式流量计、数字流量控制器和混气室，密封抽滤瓶通过H2O气化导流管与至少三级H2O气化用浮标式流量计连接，至少三级H2O气化用浮标式流量计将密封抽滤瓶内的液态水逐级气化成单分子水分子后，通过数字流量控制器定量调节后进入混气室，在混气室中H2O与Ar气，或H2O与Ar和O2混合气充分混和，进而进入真空溅射室。