[发明专利]一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法

摘要

本发明一种阴极三元合金膜及制备覆膜浸渍扩散阴极的方法，涉及微波电真空器件制造技术。阴极三元合金膜，为钨铼锇三元合金膜。一种制备覆膜浸渍扩散阴极的方法，A.在浸渍发射材料之前，用表面溅射法在阴极表面先溅射沉积铼膜，再溅射沉积锇钨膜，接下来浸渍发射材料，利用发射材料的高温浸渍过程，实现阴极表面膜层的合金化；B.浸渍发射材料之后，利用钨铼锇三元合金靶，在阴极表面溅射沉积钨铼锇三元合金膜。用本发明的阴极三元合金膜制备的阴极，可使阴极发射电流密度成倍提高，加大了阴极发射能力，并可较容易地制备成各种规格并易于实现批量生产。本发明阴极可应用于各类微波电真空器件，也可在电视机的电子管以及电子显微镜中使用。

主权项

1、一种阴极三元合金膜，其特征在于，为钨铼锇三元合金膜，合金膜元素重量比为：钨(W)45～65wt％∶铼(Re)25～45wt％∶锇(Os)10～30wt％，合金膜的厚度为0.5～0.8微米。