[发明专利]紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法无效
| 申请号： | 200710118006.9 | 申请日： | 2007-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101334504A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 王鵫;吴远大;李建光;王红杰;安俊明;胡雄伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G03F7/00;G02F1/39 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先用热氧化法在单晶Si衬底上生长下包层；步骤2：利用有机/无机杂化的溶胶－凝胶法制备掺铒光敏性SiO2材料；步骤3：在下包层上旋涂光敏性杂化SiO2薄膜作为芯层；步骤4：前烘，固化；步骤5：然后利用紫外光通过掩模版进行曝光，将器件图形直接复制到芯层上；步骤6：显影、后烘，获得条形掺铒波导放大器。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外光 制作 掺铒杂化 sio sub 波导 放大器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先用热氧化法在单晶Si衬底上生长下包层；步骤2：利用有机/无机杂化的溶胶-凝胶法制备掺铒光敏性SiO2材料；步骤3：在下包层上旋涂光敏性杂化SiO2薄膜作为芯层；步骤4：前烘，固化；步骤5：然后利用紫外光通过掩模版进行曝光，将器件图形直接复制到芯层上；步骤6：显影、后烘，获得条形掺铒波导放大器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710118006.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能指路系统及方法
- 下一篇：可调喷幅式喷头
