[发明专利]抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺无效
| 申请号： | 200710118196.4 | 申请日： | 2007-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101106158A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 王玉东;周卫;徐阳;付军;张伟;蒋志;钱佩信 | 申请（专利权）人： | 中电华清微电子工程中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100086北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于半导体器件及其制备技术领域的一种抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺。该异质结晶体管包括Si衬底形成的集电极，SiGe层基区和外基区，以及多晶Si发射极。在发射极和基极间设置侧墙结构层，抬高外基区层，其侧墙结构层防止发射极和基极间漏电，本发明采用抬高外基区工艺以外延方式生长外基区的技术，克服原有的锗硅异质结晶体管工艺中外基区注入工艺导致发射区窗口下的本征基区的硼增强扩散严重，从而引起基区变宽，掺杂改变，而降低器件的fT和fmax等参数的不足，使得器件的直流和高频特性有很大提升。 | ||
| 搜索关键词： | 抬高 外基区锗硅异质 结晶体 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种抬高外基区锗硅异质结晶体管，其特征在于，所述抬高外基区锗硅异质结晶体管包括Si衬底(12)形成的集电极，基区SiGe层(14)，外基区导电层(22)，以及作发射极的多晶硅层(34)，该晶体管的结构是在衬底(12)上外延生长SiGe层(14)，在SiGe层(14)上面沉积外基区导电层(22)，在外基区导电层(22)上靠多晶硅层(34)一边为介质层(28)紧接介质层(28)的是硅化物结构层(42)，在多晶硅层(34)的竖臂与外基区导电层(22)和介质层(28)之间设置有薄介质层(16)、介质层(32)构成的楔形侧墙结构；保证多晶硅层(34)和外基区导电层(22)之间的隔离度，在多晶硅层(34)的水平臂侧面设置类似直角三角形侧墙结构(40)，在多晶硅层(34)的水平臂上表面淀积硅化物层(42)，最后在整体结构的上表面覆盖保护介质层(43)，保护介质层(43)上对着外基区导电层(22)和多晶硅层(34)表面的硅化物层(42)有孔(44)。
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