[发明专利]非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺无效
| 申请号： | 200710118197.9 | 申请日： | 2007-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN101140946A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王玉东;徐阳;付军;周卫;张伟;蒋志;钱佩信 | 申请（专利权）人： | 中电华清微电子工程中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100086北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于半导体器件及其制备技术领域的一种非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管及其制备工艺。该异质结晶体管包括Si衬底形成的集电极，SiGe层基区和外基区，以及多晶Si发射极。在发射极和基极间设置侧墙结构层，抬高外基区层，其侧墙结构层防止发射极和基极间漏电，本发明采用抬高外基区工艺以外延方式生长外基区的非自对准技术，克服原有的锗硅异质结晶体管工艺中外基区注入工艺导致发射区窗口下的本征基区的硼增强扩散严重，从而引起基区变宽，掺杂改变，而降低器件的fT和fmax等参数的不足，使得器件的直流和高频特性有很大提升。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 抬高 外基区锗硅异质 结晶体 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管，其特征在于，所述非自对准抬高外基区锗硅异质结晶体管包括Si衬底(12)形成的集电极，基区SiGe层(14)，外基区导电层(30)，以及多晶硅层(18)形成的发射极；该晶体管结构是在衬底(12)上外延生长SiGe层(14)，在SiGe层(14)上面中央沉积T形多晶硅层(18)，在T形多晶硅层(18)的竖臂周围为氧化硅层(16)，在T形多晶(18)上表面为硅化物层(36)，在氧化硅层(16)、T形多晶(18)和硅化物层(36)形成的柱状复合层周围由薄介质层(24)、介质层(28)组成直角三角形侧墙结构层，在SiGe层(14)上面和直角三角形侧墙结构层下部生长一层锗硅层或单晶硅层(30)，斜三角形侧墙结构层(34)附着在直角三角形侧墙结构层上，然后在单晶或锗硅层(30)上面和斜三角形侧墙结构层(28)下部淀积硅化物层(36)。
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