[发明专利]一种碳化硅钛陶瓷粉体的常压合成方法

摘要

一种碳化硅钛陶瓷粉体的常压合成方法，以TiH₂粉、Si粉和TiC粉为原料，Al为反应助剂，按Ti∶Si∶TiC∶Al＝1∶1∶(1.8～2)∶(0.15～0.25)的摩尔比配料，干混10小时后，在30～50MPa压力下压制成块，将压块置于高温炉中，真空气氛下，以15～50℃/min的升温速率将炉温升至1300～1550℃，保温时间为5～15min，制得高纯度低成本Ti₃SiC₂粉体。该方法具有：合成Ti₃SiC₂粉体时间短，纯度高，成本低，所用设备简单，工艺参数稳定，适用于规模化生产。

主权项

1.一种碳化硅钛陶瓷粉体的常压合成方法，其特征在于含有以下步骤；：(1)以TiH2粉、Si粉和TiC粉为原料，Al为反应助剂，按Ti∶Si∶TiC∶Al＝1∶1∶1.8～2∶0.15～0.25的摩尔比配料；(2)将上述配料和玛瑙球放入球磨罐中，在球磨机上干混10小时；(3)将上述混合均匀的配料在30～50MPa压力下压制成块；(4)将上述压块置于高温炉中，在真空气氛下，以15～50℃/min的升温速率将炉温升至1300～1550℃，保温时间为5～15min，制得高纯度低成本Ti3SiC2粉体。