[发明专利]静电卡盘有效
| 申请号： | 200710118502.4 | 申请日： | 2007-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN101339916A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 彭宇霖 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑立明;任红 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电卡盘，包括绝缘层，所述的绝缘层的上表面设有多个凸点，多个凸点呈矩阵式或圆周式均匀分布。有利于氦气进入晶片与绝缘层之间的缝隙实现对晶片的传热，使晶片表面温度分布均匀。主要应用在半导体刻蚀过程中，可提高晶片刻蚀均匀性，也可以应用在其它的半导体加工工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 | ||
【主权项】：
1、一种静电卡盘，包括绝缘层，其特征在于，所述的绝缘层的上表面为凹凸状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
