[发明专利]用于多位存储的非挥发存储器件及其制作方法有效
| 申请号： | 200710118558.X | 申请日： | 2007-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101101926A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 潘立阳;古海明 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于半导体器件领域的涉及利用杂质掺杂形成不均匀沟道的一种用于多位存储的非挥发存储器件及其制作方法。用于多位存储的非挥发存储器件，包括位于p型半导体衬底上的p阱，在p阱上面为不均匀沟道；在沟道以上依次为隧穿二氧化硅层、氮化硅层、二氧化硅层组成复合介质层、在复合介质层上是起控制作用的多晶硅控制栅，与复合介质层共同构成栅结构；源极区在栅结构第一边缘处衬底中，漏极区在栅结构第二边缘处衬底中。该结构通过带带隧穿热空穴注入来执行存储单元写入操作；通过控制栅到衬底的F-N隧穿电子来执行擦除操作。该存储器件可以应用于电荷俘获型存储器、多位存储器、非挥发半导体存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 挥发 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于多位存储的非挥发存储器件，该非挥发存储器件是多位存储器单元(401)，其特征在于，多位存储器单元(401)的结构包括位于p型半导体衬底上的p阱，在p阱上面为不均匀沟道(406)，沟道(406)的掺杂情况为在水平方向为p+/n-/p+，或者p+/p-/p+，或者p+/耗尽区/p+；在沟道(406)以上依次为隧穿二氧化硅层(405)、用于电荷俘获的氮化硅层(404)、二氧化硅层(403)组成复合介质层、在复合介质层上是起控制作用的多晶硅控制栅(402)，与复合介质层共同构成栅结构；在p阱上面不均匀沟道(406)左边位于栅结构第一边缘处衬底中的源极区(407)；在p阱上面不均匀沟道(406)右边位于栅结构第二边缘处衬底中的漏极区(408)。
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