[发明专利]一种制备氧化亚铜纳米柱阵列的方法无效
| 申请号： | 200710118801.8 | 申请日： | 2007-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101074108A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 常永勤;王际;张寅虎 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01G3/02 | 分类号： | C01G3/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人： | 刘月娥 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备氧化亚铜纳米柱阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。工艺步骤为：将Cu片分别在盐酸和丙酮中清洗10～15min，用去离子水冲洗干净后再用吸耳球将Cu片吹干；将清洗后的Cu片放置在水平管式炉中，通入3～5ml/min的空气；将管式炉以8～10℃/min的速度升温至335～345℃，保温120～150min后自然冷却，获得所需的产物。优点在于，不需要复杂的真空系统，只需在有微弱气流的空气中加热Cu衬底即可获得Cu2O纳米柱阵列。采用的方法简单易行，成本很低，是一种环保的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 氧化亚铜 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备氧化亚铜纳米柱阵列的方法，其特征在于，工艺步骤为：(1)将Cu片分别在盐酸和丙酮中清洗10～15min，用去离子水冲洗干净后再用吸耳球将Cu片吹干；(2)将清洗后的Cu片放置在水平管式炉中，通入3～5ml/min的空气；(3)将管式炉以8～10℃/min的速度升温至335～345℃，保温120～150min后自然冷却，获得所需的产物。
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