[发明专利]三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管基于双SOI衬底，上下两层硅膜的沟道的截面各有两个相同的长方形的鳍型Fin，上层的双鳍型沟道与其对应的下层的双鳍型沟道自对准、且宽度相同；每个双鳍型沟道的外侧为栅氧和共同的前栅，内侧为隧穿氧化层、氮化硅陷阱层、阻挡氧化层和共同的背栅，形成双栅结构；上层的双鳍型沟道的两端连接上层的共同的n+源和n+漏，下层的双鳍型沟道的两端连接下层的共同的p+源和p+漏；前栅和背栅自对准、对上下两层的源和漏的覆盖很小；上层n+源和下层p+源连接不同的电极，上层n+漏和下层n+漏连接同一电极。本发明的场效应晶体管具有高性能nMOSFET、pMOSFET和CMOS逻辑器件功能。

主权项

1、一种三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管，该场效应晶体管基于双SOI衬底，双SOI衬底的背面硅的上面是埋氧层，埋氧层的上面有上下两层硅膜，两层硅膜的中间是二氧化硅隔离层，其特征在于：上下两层硅膜的截面各有两个相同的长方形的鳍型Fin，形成两层双鳍型沟道，即为三维双鳍型沟道；上层的双鳍型沟道与其对应的下层的双鳍型沟道自对准、且宽度相同；每个双鳍型沟道的外侧为栅氧和共同的前栅，内侧为背栅ONO堆栈结构和共同的背栅，形成双栅结构；背栅ONO堆栈结构包括隧穿氧化层、作为电荷存储层的氮化硅陷阱层、阻挡氧化层三层；上层的双鳍型沟道的两端连接上层的共同的源和漏，下层的双鳍型沟道的两端连接下层的共同的源和漏；前栅和背栅自对准、对上下两层的源和漏的覆盖很小；上层的源和下层的源连接不同的电极，上层的漏和下层的漏连接同一电极。