[发明专利]一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法无效
申请号: | 200710118868.1 | 申请日: | 2007-06-13 |
公开(公告)号: | CN101325171A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 屠晓光;陈少武 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;B82B3/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100083北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及微纳米加工技术领域,公开了一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法,该方法包括:A.在顶层材料为硅的衬底上采用纳米尺寸光刻技术,将曝光图形转移到光刻胶掩膜上,控制图形最小线条尺寸在纳米量级;B.以光刻胶为掩模,采用电感耦合等离子体ICP干法刻蚀技术对所述衬底的顶层硅材料进行刻蚀,形成纵向空气槽;C.在形成纵向空气槽的顶层硅表面,热氧化形成一层厚度为7至15纳米的氧化层;D.利用化学气相沉积技术,采用液态绝缘材料源对刻蚀形成的槽进行氧化硅填充。利用本发明,制作出了纳米尺寸的三角形空气槽。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 尺寸 三角形 空气 制作方法 | ||
【主权项】:
1、一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法,其特征在于,该方法包括:A、在顶层材料为硅的衬底上采用纳米尺寸光刻技术,将曝光图形转移到光刻胶掩膜上,控制图形最小线条尺寸在纳米量级;B、以光刻胶为掩模,采用电感耦合等离子体ICP干法刻蚀技术对所述衬底的顶层硅材料进行刻蚀,形成纵向空气槽;C、在形成纵向空气槽的顶层硅表面,热氧化形成一层厚度为7至15纳米的氧化层;D、利用化学气相沉积技术,采用液态绝缘材料源对刻蚀形成的槽进行氧化硅填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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