[发明专利]一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法无效

专利信息
申请号: 200710118868.1 申请日: 2007-06-13
公开(公告)号: CN101325171A 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: 屠晓光;陈少武 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762;B82B3/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及微纳米加工技术领域,公开了一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法,该方法包括:A.在顶层材料为硅的衬底上采用纳米尺寸光刻技术,将曝光图形转移到光刻胶掩膜上,控制图形最小线条尺寸在纳米量级;B.以光刻胶为掩模,采用电感耦合等离子体ICP干法刻蚀技术对所述衬底的顶层硅材料进行刻蚀,形成纵向空气槽;C.在形成纵向空气槽的顶层硅表面,热氧化形成一层厚度为7至15纳米的氧化层;D.利用化学气相沉积技术,采用液态绝缘材料源对刻蚀形成的槽进行氧化硅填充。利用本发明,制作出了纳米尺寸的三角形空气槽。
搜索关键词: 一种 纳米 尺寸 三角形 空气 制作方法
【主权项】:
1、一种纳米尺寸三角形空气槽的制作方法,其特征在于,该方法包括:A、在顶层材料为硅的衬底上采用纳米尺寸光刻技术,将曝光图形转移到光刻胶掩膜上,控制图形最小线条尺寸在纳米量级;B、以光刻胶为掩模,采用电感耦合等离子体ICP干法刻蚀技术对所述衬底的顶层硅材料进行刻蚀,形成纵向空气槽;C、在形成纵向空气槽的顶层硅表面,热氧化形成一层厚度为7至15纳米的氧化层;D、利用化学气相沉积技术,采用液态绝缘材料源对刻蚀形成的槽进行氧化硅填充。
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