[发明专利]一种清洗单硅片的方法及装置

摘要

本发明涉及一种单硅片的清洗方法及装置，方法主要包括以下步骤：1.设置带超声或兆声发生器的清洗液喷射装置；2.装配直线移动装置；3.设置单硅片水平旋转装置；4.设置直线移动装置和水平旋转装置的速度；5.建立方程组，通过解方程组求得其值；6.根据第5步解出的数值在电机的控制器中设定转速值；7.开机完成清洗过程。该清洗方法的装置主要包括清洗腔、直线移动部件、水平旋转部件和控制部件组成，水平旋转部件由托架、连轴、调速电机和升降气缸组成；直线移动部件由支撑架、超声或兆声能量发生器、喷嘴、管路、调速电机、升降气缸组成，设有一个控制器与电机调速器控制连接。本发明适用于单片硅片的清洗，具有控制灵活精确，不损伤硅片的特点。

主权项

1、一种单硅片的清洗方法，其特征在于包括以下步骤：(1)设置带超声或兆声发生器的清洗液喷射装置：根据需要配置功率大小适合的超声或兆声发生器，设置能产生适合的有效清洗液射流的喷嘴和配套管路，将超声或兆声发生器与喷嘴装配在一起，并且固定设置在一移动架上；所述喷嘴可以上下移动，喷嘴与单硅片的距离可调，并且喷头与单硅片的表面呈30-90度角。(2)装配直线移动装置：给上述清洗液喷射装置配置上能做直线移动的直线移动装置，选用调速电机，配以精确转速控制器，该调速电机带动清洗液喷射装置沿单硅片的半径做径向直线移动；(3)设置单硅片水平旋转装置：设置单硅片托架，配置水平旋转装置，选用调速电机，配以精确转速控制器，该调速电机带动单硅片在托架上做水平旋转；(4)设置直线移动装置和水平旋转装置的速度：设：直线运动装置带动喷嘴沿硅片半径径向运动的速度为Vr，单位是mm/s；设：水平旋转装置带动单硅片做水平旋转运动的速度为Vω，单位是弧度/s；设：喷嘴的射流的有效宽度为a，单位是mm；设：清洗液射流到单硅片中心的距离为r，单位为mm；根据清洗的单硅片的具体情况、清洗液的性能和清洗液射流压力、清洗质量和效率的要求设置清洗的速度，也就是在水平旋转装置带动硅片旋转的同时，直线移动装置沿单硅片径向走完半径距离的速度，设为S，单位是mm/s；(5)建立方程式：Vr＝a ×Vω$S=\sqrt{V^{2}r+r^2\times V^2\omega }$ 方程式中S、a、r为已知数，有确定值；Vr、Vω为未知数，通过解上述方程组求得其值。(6)根据第5步解出的数值分别在直线移动电机和旋转电机的控制器中设定转速值；(7)将喷头置于单硅片的边沿或中心起始点，开通清洗液喷头和电源，完成清洗过程。