[发明专利]低功耗低时钟摆幅D触发器无效
申请号: | 200710119009.4 | 申请日: | 2007-06-18 |
公开(公告)号: | CN101079614A | 公开(公告)日: | 2007-11-28 |
发明(设计)人: | 孙义和;张建军 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H03K3/356 | 分类号: | H03K3/356;H03K3/037 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李光松 |
地址: | 100084北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了属于D触发器设计技术领域的一种低功耗低时钟摆幅D触发器。该触发器采用单一电源供电,适用于通用CMOS工艺;第一级是由一个传输门、一个钟控CMOS反相器和一个反相器组成的锁存器,传输门的输出MX与钟控CMOS反相器的输出相接,反相器的输出MY为另一个钟控CMOS反相器的输入;第二级是由两个反相器首尾相接构成的灵敏放大器,MX、MY为灵敏放大器的输入,相接点的反相输出即为D触发器的输出;保证的D触发器的正确性,并使D触发器可以在低时钟摆幅下工作,避免了对时钟部分采用独立电源供电。本发明具有功耗低、延时小、结构简单、晶体管数目少的优点。并且采用差分输入的第二级增强了抗噪声的性能。 | ||
搜索关键词: | 功耗 时钟 触发器 | ||
【主权项】:
1.一种低功耗低时钟摆幅D触发器,其特征在于,所述低功耗低时钟摆幅D触发器是一种低功耗主从型D触发器,该触发器含有:1)由堆叠PMOS晶体管、NMOS管和反相器XI1组成的反相器,用于对低摆幅时钟信号CK进行反相,该反相器包括:PMOS管(MPV),该管的源极和衬底接电源VDD,而栅极和漏极接在一起;PMOS管(MP1),该管的源极和所述(MPV)管的栅极、漏极接在一起,该管的衬底接电源VDD,该管的栅极接时钟输入信号CK,漏极标记为CKN;NMOS管(MN1),该管的漏极和所述(MP1)管的漏极连接到节点CKN,该管的栅极接时钟输入信号CK,该管的源极和衬底都接地;反相器(XI1),该反相器(XI1)的输入是CKN,输出标记为CKD;2)触发器主级电路,包括传输门、反相电路和钟控反相电路,其中:传输门,含有PMOS管(MP2)和NMOS管(MN2),其中所述(MP2)管和(MN2)管源漏相连,源极相连后接数据输入信号D,输出标记为MX;该(MP2)管的栅极接CKD,衬底接电源VDD。该(MN2)管的栅极接CKN,衬底接地;反相电路,由反相器(XI2)构成,该反相器(XI2)的输入为节点MX,输出标记为节点MY;钟控反相电路,包括:PMOS管(MP4),该管的源极和衬底都接电源VDD,栅极接MY;PMOS管(MP3),该管的源极和所述(MP4)管的漏极相接,该管的栅极接CKN,漏极连接到节点MX,衬底接电源VDD;NMOS管(MN4),该管的漏极连接到节点MX,该管的栅极接CKD,衬底接地;NMOS管(MN3),该管的漏极接所述(MN4)管的源极,源极和衬底接地;3)触发器从级电路,包括:两个首尾相接的反相器(XI3)和(XI4),反相器(XI3)的输入标记为SY,输出标记为SX,即反相器(XI4)的输入为SX,输出为SY;NMOS管(MN5),该(MN5)管的漏极接SY,该管的栅极接节点MX,衬底接地;NMOS管(MN6),该(MN6)管的漏极接SX,该管的栅极接节点MY,源极与所述(MN7)管的源极相接,衬底接地;NMOS管(MN7),该(MN7)管的漏极与所述(MN5)管、(MN6)管的源极相接,该管的栅极接时钟信号CK,该管的源极和衬底接地;反相器(XI5),该反相器的输入是SX,输出是Q信号;反相器(XI6),该反相器的输入是SY,输出是QN信号。
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