[发明专利]刻蚀装置有效
| 申请号： | 200710119400.4 | 申请日： | 2007-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101355009A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 邢涛 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;姚巍 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀装置，包括反应室，反应室内部设有下电极，反应室的侧下方连接有抽气室，反应室下部的侧壁上设有圆环型凸起，圆环型凸起与下电极之间形成圆环型气体通道，反应室内的气体可通过圆环型气体通道进入抽气室。在进行半导体加工过程中，反应基团与被刻蚀晶片表面发生的化学反应速度差异较小，反应产物的分布均匀，刻蚀速率和刻蚀图形均具有较好的均匀性。同时由于本发明采用侧下抽气方式，有效解决了下抽气式刻蚀装置维护空间不足的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
1、一种刻蚀装置，包括反应室，反应室内部设有下电极，反应室的侧下方连接有抽气室，其特征在于，所述反应室下部的侧壁与下电极之间设有圆环型气体通道，所述反应室内的气体可通过圆环型气体通道进入抽气室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
