[发明专利]进气装置及反应腔室有效
| 申请号： | 200710119581.0 | 申请日： | 2007-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN101355010A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 南建辉;宋巧丽 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/3213;H01L21/67;C23C16/455;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;姚巍 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种进气装置及反应腔室。反应腔室的侧壁与上盖之间设有进气装置，进气装置为环状，内部设有环形空腔，进气装置的外侧壁上设有至少一个进气口；进气装置的内侧壁上设有多出气口。工艺气体可通过进气装置的进气口和出气口从侧面进入反应腔室，可以有效的改进进气方式，既能使气流在反应腔室内分布均匀，减少由于气流分布不匀对工艺结果的影响，又能使工艺气体充分反应，降低成本。有效的提高了刻蚀后晶片表面图形的均匀一致性，优化了机台刻蚀性能。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 反应 | ||
【主权项】：
1、一种进气装置，其特征在于，所述的进气装置为环状，内部设有环形空腔，所述进气装置的外侧壁上设有至少一个与所述环形空腔相通的进气口；所述进气装置的内侧壁上设有多组出气口，所述多组出气口在所述内侧壁上沿环状方向均匀分布，每组出气口包括至少一个与所述环形空腔相通的出气口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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