[发明专利]780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法无效
| 申请号： | 200710119867.9 | 申请日： | 2007-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101359805A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 仲莉;马骁宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;C23C16/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法，包括：将衬底放入低压金属有机化学气相沉积系统的反应室中，外延生长前将反应室升温、降压；分别以III族金属有机源和V族氢化物源作为先驱源，由载气带动进入反应室，在N型镓砷衬底上依次外延生长缓冲层、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层；在上包层上生长P型镓铟磷层，该P型镓铟磷层起缓冲层的作用并且用来抑制铝向欧姆接触层的扩散；在P型镓铟磷层上生长欧姆接触层；关闭载气和所有先驱源，充入氮气，并将反应室升压；将反应室降温，外延片在反应室中进行退火；将外延片从反应室中取出，完成外延片的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 780 nm 850 激光器 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种780nm～850nm无铝激光器外延片的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将衬底放入低压金属有机化学气相沉积系统的反应室中，外延生长前将反应室升温、降压；步骤2：分别以III族金属有机源和V族氢化物源作为先驱源，由载气带动进入反应室，在N型镓砷衬底上依次外延生长缓冲层、下包层、下波导层、有源层、上波导层、上包层；步骤3：在上包层上生长P型镓铟磷层，该P型镓铟磷层起缓冲层的作用并且用来抑制铝向欧姆接触层的扩散；步骤4：在P型镓铟磷层上生长欧姆接触层；步骤5：关闭载气和所有先驱源，充入氮气，并将反应室升压；步骤6：将反应室降温，外延片在反应室中进行退火；步骤7：将外延片从反应室中取出，完成外延片的制作。
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