[发明专利]电容耦合等离子体装置及在硅衬底上生长碳化硅薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种电容耦合等离子体装置及在硅衬底上生长碳化硅薄膜的方法，在反应腔室内的上电极和下电极之间设有热丝加热装置。首先，通入H₂气体，用射频和热丝共同作用，产生的氢等离子体轰击衬底30分钟左右；然后，通入CH₄气体，进行热丝成核生长30分钟左右；之后，通过射频与热丝共同电离工艺气体产生等离子体，在硅衬底上进行化学气相沉积。可通过热丝加热装置对工艺气体进行辅助分解及对硅衬底进行加热，使得硅衬底表面附近被分解的碳原子能有效的进入sp3状态，从而形成β－SiC结构，生长的碳化硅薄膜均匀性好，有利于大面积生长碳化硅薄膜。

主权项

1.一种电容耦合等离子体装置，包括反应腔室，所述的反应腔室内设有上电极、下电极，其特征在于，所述的上电极和下电极之间设有热丝加热装置。