[发明专利]P型碳化硅器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200710120302.2 | 申请日： | 2007-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101369600A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 姜岩峰 | 申请（专利权）人： | 北方工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100041*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型碳化硅器件及其制作方法，包括碳化硅层、铝电极层，碳化硅层与铝电极层之间设有金纳米颗粒层。首先，采用溅射法在碳化硅层上淀积金纳米颗粒层，厚度约为100纳米，并进行退火处理，退火处理的温度为450～710℃，退火时间为8～10分钟，保护气体为氮气；然后，在金纳米颗粒层上制作铝电极层，制作出的P型碳化硅器件具有较好的欧姆接触性能。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种P型碳化硅器件，包括碳化硅层、铝电极层，其特征在于，所述碳化硅层与铝电极层之间设有金纳米颗粒层。
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