[发明专利]一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法无效
| 申请号： | 200710120607.3 | 申请日： | 2007-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101373734A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 张杨;刘剑;李艳;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及空气桥制备技术领域，公开了一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，该方法包括：引进二氧化硅牺牲层；用电子束曝光结合电感耦合等离子体刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩；再次用电子束曝光，在双层电子束曝光胶上定义出空气桥的桥梁；用金属电子束蒸发、金属剥离将金属空气桥结构转移至衬底；用湿法腐蚀去除二氧化硅牺牲层，得到纳米尺度的镍金空气桥。利用本发明，简化了电子束曝光环节的调校，提高了工艺的可重复性，具有电子束曝光环节调校简单，工艺重复性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 尺度 空气 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米尺度镍金空气桥的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：引进二氧化硅牺牲层；用电子束曝光结合电感耦合等离子体ICP刻蚀所述二氧化硅牺牲层，定义出空气桥的桥墩；再次用电子束曝光，在双层电子束曝光胶上定义出空气桥的桥梁；用金属电子束蒸发、金属剥离将金属空气桥结构转移至衬底；用湿法腐蚀去除二氧化硅牺牲层，得到纳米尺度的镍金空气桥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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