[发明专利]倒装双结铟镓氮太阳能电池结构

摘要

一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，包括：一衬底；一氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面；一n型掺杂In_aGa_1－aN层制作在非有意掺杂氮化镓缓冲层的上面；一p型掺杂In_aGa_1－aN层制作在n型掺杂In_aGa_1－aN层的上面；一p型重掺杂In_bGa_1－bN层制作在p型掺杂In_aGa_1－aN层的上面；一n型重掺杂In_bGa_1－bN层制作在p型重掺杂In_bGa_1－bN层的上面；一n型掺杂In_cGa_1－cN层制作在n型重掺杂In_bGa_1－bN层的上面；一p型掺杂In_cGa_1－cN层制作在n型掺杂In_cGa_1－cN层的上面。

主权项

1.一种倒装双结铟镓氮太阳能电池结构，其特征在于，其中包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底的上面，该成核层可以增加衬底表面的成核密度；一非有意掺杂氮化镓缓冲层，该非有意掺杂氮化镓缓冲层制作在氮化镓成核层的上面，该缓冲层可以减少外延层的缺陷密度，提高晶体质量；一n型掺杂InaGa1-zN层，该n型掺杂InaGa1-aN层制作在非有意掺杂氮化镓缓冲层的上面，该n型掺杂层是底层InaGa1-aN电池的一部分；一p型掺杂InaGa1-aN层，该p型掺杂InaGa1-aN层制作在n型掺杂InaGa1-aN层的上面，该p型掺杂层是底层InaGa1-aN电池的一部分；一p型重掺杂InbGa1-bN层，该p型重掺杂InbGa1-bN层制作在p型掺杂InaGa1-aN层的上面，该p型重掺杂层是隧道结的一部分；一n型重掺杂InbGa1-bN层，该n型重掺杂InbGa1-bN层制作在p型重掺杂InbGa1-bN层的上面，该n型重掺杂层是隧道结的一部分；一n型掺杂IncGa1-cN层，该n型掺杂IncGa1-cN层制作在n型重掺杂InbGa1-bN层的上面，该n型掺杂层是顶层IncGa1-cN电池的一部分；一p型掺杂IncGa1-cN层，该p型掺杂IncGa1-cN层制作在n型掺杂IncGa1-cN层的上面，该p型掺杂层是顶层IncGa1-cN电池的一部分。