[发明专利]一种具有反射式光学系统的亚波长光刻方法和系统无效

专利信息
申请号: 200710120710.8 申请日: 2007-08-24
公开(公告)号: CN101126904A 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 张春梅;邢薇;唐小萍;严佩英;胡松;王淑蓉;赵立新;严伟 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F7/26
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 代理人: 贾玉忠;卢纪
地址: 61020*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种具有反射式光学系统的亚波长光刻方法和系统,利用反射镜阵列汇聚光束,运用光束相干叠加技术,通过调整多相干光的参数(振幅、相位、偏振等)实现亚波长的光学聚焦,并利用聚焦光斑进行光刻。系统包括激光器、激光能量调节装置、光分束装置、反射式光学系统、图形发生器或掩模、涂有光敏材料的基底、三维工件台等。本发明克服了当前光刻技术存在的低分辨率、高成本等不足,可用于微钠结构制作、MEMS器件制造、半导体芯片制造等领域,另外对光学显微测量、半导体测量、荧光显微、光学捕获等领域也有着重要的意义。
搜索关键词: 一种 具有 反射 光学系统 波长 光刻 方法 系统
【主权项】:
1.具有反射式光学系统的亚波长光刻方法,其特征在于步骤如下:(1)将光源发出的光束分为两路;(2)在步骤(1)所述的两光路中分别放置M、N个分光镜,形成共计M+N束光,在每一束光的光路上放置有可调反射镜,该可调反射镜装有调节装置,通过调整可调反射镜使所有M+N束光实现会聚,调整各束光的参数使M+N束光在会聚处发生干涉;(3)在M+N束光的会聚处,放置基底,实现曝光;(4)曝光之后,通过后续处理得到需要的光刻图形。
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