[发明专利]利用UHV/CVD低温生长SiGe材料的方法无效
| 申请号： | 200710121072.1 | 申请日： | 2007-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378018A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 韩根全;曾玉刚;余金中 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B25/02;C30B28/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种利用UHV/CVD在衬底上低温生长SiGe材料的方法，其特征在于，生长材料的步骤如下：步骤1：取一衬底，清洗；步骤2：将清洗过的衬底高温除气；步骤3：将衬底传入生长室；步骤4：将衬底加热脱氧；步骤5：将衬底降温；步骤6：向生长室通入源气体和掺杂气体，在衬底上生长材料。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 uhv cvd 低温 生长 sige 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用UHV/CVD在衬底上低温生长SiGe材料的方法，其特征在于，生长材料的步骤如下：步骤1：取一衬底，清洗；步骤2：将清洗过的衬底高温除气；步骤3：将衬底传入生长室；步骤4：将衬底加热脱氧；步骤5：将衬底降温；步骤6：向生长室通入源气体和掺杂气体，在衬底上生长材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
