[发明专利]双电极静电卡盘有效
| 申请号： | 200710121131.5 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101378029A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 刘利坚 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;C23C14/50;C23C16/458;B23Q3/08 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双电极静电卡盘，包括绝缘层，绝缘层内设有第一直流电极和第二直流电极，第一直流电极和第二直流电极分别包括多个环形导体，两个直流电极的多个环形导体相互间隔分布，其下方分别设有连接装置，第一直流电极和第二直流电极的多个环形导体分别通过对应的连接装置连接。连接装置包括连接板，连接板上连接有多个导通柱，每个导通柱连接有一个环形导体。使第一直流电极和第二直流电极的环形导体可以形成完全对称的环形结构，可在静电卡盘和晶片之间实现分布均匀的静电吸附力。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 静电 卡盘 | ||
【主权项】：
1、一种双电极静电卡盘，包括绝缘层，其特征在于，所述的绝缘层内设有第一直流电极和第二直流电极，所述第一直流电极和第二直流电极分别包括多个环形导体，两个直流电极的多个环形导体相互间隔分布，所述第一直流电极和第二直流电极的下方分别设有连接装置，所述第一直流电极和第二直流电极的多个环形导体分别通过对应的连接装置连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
