[发明专利]一种基于干法刻蚀负载效应的亚波长连续面形微结构制备方法无效
| 申请号： | 200710121244.5 | 申请日： | 2007-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101126899A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 董小春;杜春雷;李飞;潘丽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 贾玉忠;卢纪 |
| 地址： | 61020*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种基于干法刻蚀负载效应的亚波长连续面形微结构制备方法，(1)首先选择基底材料，然后对干法刻蚀设备进行标定，建立缝宽与刻蚀速率的关系；(2)依据标定的结果，设计与目标结构相应的干法刻蚀掩模图形，并在基底表面制作金属材质的干法刻蚀掩模图形；(3)采用标定过程中使用的刻蚀参数对基底进行干法刻蚀；(4)刻蚀结束后，对刻蚀后的基底材料进行湿法腐蚀抛光，抛光完成后即可获得需要的目标结构。本发明通过利用干法刻蚀过程中的负载效应实现了亚波长尺度连续面形微结构的成形，当然本发明也可以实现尺寸远大于波长的各种连续面形结构的成形，可广泛应用于基于表面等离子体的各种新型功能器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 刻蚀 负载 效应 波长 连续 微结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于干法刻蚀负载效应的亚波长连续面形微结构制备方法，其特征在于步骤如下：(1)首先选择基底材料，然后对干法刻蚀设备进行标定，建立缝宽与刻蚀速率的关系；(2)依据标定的结果，设计与目标结构相应的干法刻蚀掩模图形，并在基底表面制作金属材质的干法刻蚀掩模图形；(3)采用标定过程中使用的刻蚀参数对基底进行干法刻蚀；(4)刻蚀结束后，对刻蚀后的基底材料进行湿法腐蚀抛光，抛光完成后即可获得需要的目标结构。
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